硅料回收中半導體硅材料(semiconductor silicon)是最主要的元素半導體材料，包括硅多晶、硅單晶、硅片、硅外延片、非晶硅薄膜等，可直接或間接用于制備半導體器件。
　　硅為周期表中Ⅳ族元素。在地殼中主要以二氧化硅和硅酸鹽形式存在。豐度為27.7%，僅次于氧。硅的原子量為28.05，25℃下密度為2.329g/cm3，具有灰色金屬光澤，較脆，硬度6.5Mohs，稍低于石英。熔點1410℃，在熔點時體積收縮率9.5%。常溫下硅表面覆蓋一層極薄氧化層，化學性質不活潑。高溫下與氧反應生成無定形二氧化硅層，在器件工藝中常用半作掩蔽層和隔離層。硅不溶于酸，但溶于HNO3。和HF的混合溶液中，常用這種溶液作腐蝕液。硅稍溶于加溫的堿溶液中，還可采用等離子腐蝕技術來腐蝕硅。
         硅有結晶態和非晶。常溫下硅單晶介電系數11.7，對光具有高的折射率(n=3.42)，反射損失較大，涂以適當減反射膜可大大提高透過率。硅中的雜質會引起光的吸收，氧和碳的吸收帶在室溫下分別位于1107和607cm-1處。
結晶態硅材料的制備方法通常是先將硅石(SiO2)在電爐中高溫還原為冶金級硅(純度95%～99%)，然后將其變為硅的鹵化物或氫化物，經提純，以制備純度很高的硅多晶。包括硅多晶的西門子法制備、硅多晶的硅烷法制備。在制造大多數半導體器件時，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅單晶。通常用直拉法或區熔法由硅多晶制得硅單晶。

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